在生产半导体和测试电子元件过程中，有许多环节必须精确进行温度控制。其中包括诸如在 LED 生产的先导阶段，即进行半导体涂层期间的等离子蚀刻和金属有机物气相沉积 (MOCVD)等过程。在半导体行业中，其他的典型温度依赖性研究包括功能和负载测试中的压力测试、环境条件模拟以及电子组件的在线测试等。

典型应用领域

——晶圆制造

切片后的晶圆需要用CMP使硅片表面光滑，研磨和泵送会产生热量，须用冷却器消除这些热量。

——沉积

根据沉积过程的不同需要用冷水机进行冷却或加热，温度直接影响晶圆的均匀性和沉积深度。

——光刻

把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上，需要非常高的稳定性确保锋利的掩膜边缘

——等离子蚀刻

晶圆在真空蚀刻室中使用等离子体进行加工。等离子体中包含的离子轰击晶圆，从而剥离材料。比如可以通过此方式去除硅板上的氧化层。等离子体的温度会影响蚀刻的速度和效果。如果温度过低，等离子体的活性将不足以有效剥离材料。如果温度过高，可能会过多剥离材料，从而导致误差和损坏。因此，对等离子体温度的高精准控制非常重要，即使温度的微小变化也可能导致蚀刻结构尺寸、均匀性和形状的明显变化。

——离子注入

离子源的的能量需要去除以确保参杂离子稳定注入，冷却器可解决离子注入机的冷却需求。

——清洗

清洗设备占芯片制造工序步骤的30%以上，需要对清洗设备进行控温以确保其稳定运行。

——电镀

将电镀液中的金属离子电镀到晶圆表面形成金属互联需要冷却装置来保持稳定性和高重复性结果。

——测试

测试设备贯穿于集成电路生产制造流程(包括IC设计、制造以及封测)需要对设备进行温度控制。